Oxidation-Process Dependence of Single Photon Sources Embedded in 4H-SiC MOSFETs
Oxidation-Process Dependence of Single Photon Sources Embedded in 4H-SiC MOSFETs
复制标题
嵌入 4H-SiC MOSFET 中的单光子源的氧化过程依赖性
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.924.281
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T. Ohshima
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. Abe;T. Umeda;M. Okamoto;S. Onoda;M. Haruyama;W. Kada;O. Hanaizumi;R. Kosugi;S. Harada;T. Ohshima
影响因子：
4
作者：
Yuta Abe;T. Umeda;M. Okamoto;R. Kosugi;S. Harada;M. Haruyama;W. Kada;O. Hanaizumi;S. Onoda;T. Ohshima
通讯作者：
Yuta Abe;T. Umeda;M. Okamoto;R. Kosugi;S. Harada;M. Haruyama;W. Kada;O. Hanaizumi;S. Onoda;T. Ohshima
影响因子：
41.2
作者：
Widmann, Matthias;Lee, Sang-Yun;Wrachtrup, Joerg
通讯作者：
Wrachtrup, Joerg