Electrodeposition of protective organosilane films from a thin layer of precursor solution
Electrodeposition of protective organosilane films from a thin layer of precursor solution
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从薄层前体溶液中电沉积有机硅烷保护膜
DOI：
10.1016/j.corsci.2012.03.042
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发表时间：
2012-07
影响因子：
8.3
通讯作者：
Wu, LK
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wu, LK;Hu, JM;Zhang, JQ;Wu, LK
采用电化学方法在AA2024-T3铝合金表面沉积有机硅膜，以防止薄电解液的腐蚀。与从整体溶液中电沉积的硅烷薄膜相比，从TEL隔室中电沉积的硅烷薄膜具有更好的腐蚀性能和更好的成膜能力。这些现象的原因是由于氧的扩散促进了TEL下的OH-−离子的产生。以“临界电解液厚度”(CET)电沉积的硅烷薄膜提供最佳的保护电阻，同时具有最高的沉积电流。CET以下的负面影响解释为TEL中的溶氧量不足。
Organosilane films were electrochemically deposited onto aluminium alloy AA 2024-T3 for corrosion protection from a thin electrolyte layer (TEL). Compared with those electrodeposited from a bulk solution, silane films electrodeposited from a TEL compartment exhibit improved corrosion performance and enhanced film formation. These phenomena were explained by the increased OH−ions generation rate under a TEL due to the facilitated oxygen diffusion. Silane films electrodeposited at a “critical electrolyte thickness” (CET) provide the best protection resistance, accompanying with the highest deposition current. The negative effect below the CET was interpreted by the insufficient amount of dissolved oxygen in the TEL.
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