Breaking the millikelvin barrier in nanoelectronics
Breaking the millikelvin barrier in nanoelectronics
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打破纳米电子学中的毫开尔文屏障
DOI：
10.1051/epn/2021406
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Haley R
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Haley R
在欧洲各地的实验室中，物理学家正在突破纳米电路和量子增强设备中电子冷却的极限。稀释制冷领域的无制冷剂革命使研究人员摆脱了对氦这种昂贵且不可再生资源的依赖，并极大地增加了可用于新科学和量子技术应用的冷却机数量，这些应用利用了材料在开尔文和毫开尔文温度下的特性。
In labs across Europe physicists are pushing the boundaries of how far we can cool the electrons in nano-fabricated circuits and quantum-enhanced devices. The cryogen-free revolution in dilution refrigeration has liberated researchers from a reliance on helium, a costly and non-renewable resource, and hugely expanded the numbers of cooling machines available for new science and quantum technology applications which exploit the properties of materials at kelvin and millikelvin temperatures.
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库仑封锁温度计的开关芯片冷却低至 2.8 mK
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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作者：
Y. B. Kalyoncu;Mario Palma;C. Scheller;D. Maradan;Anna Feshchenko;Matthias Meschke;D. Zumbühl
通讯作者：
D. Zumbühl
纳米电子器件的片上磁冷却
DOI：
10.48550/arxiv.1611.02483
发表时间：
2016
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
Bradley D
通讯作者：
Bradley D
500微开尔文纳米电子学
影响因子：
16.6
作者：
M. Sarsby;N. Yurttagül;A. Geresdi
通讯作者：
A. Geresdi
影响因子：
4
作者：
Beauchamp, C. B.;Dimitriadis, S.;Ritchie, D. A.
通讯作者：
Ritchie, D. A.
影响因子：
8.6
作者：
Pan, W;Xia, JS;West, KW
通讯作者：
West, KW