Impact of (111)-Oriented SrRuO3/Pt Tailored Electrode for Highly Reproducible Preparation of Metal Organic Chemical Vapour Deposited Pb(Zr,Ti)O3 Films for High Density Ferroelectric Random Access Memory Applications
Impact of (111)-Oriented SrRuO3/Pt Tailored Electrode for Highly Reproducible Preparation of Metal Organic Chemical Vapour Deposited Pb(Zr,Ti)O3 Films for High Density Ferroelectric Random Access Memory Applications
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(111) 取向 SrRuO3/Pt 定制电极对高密度铁电随机存取存储器应用的金属有机化学气相沉积 Pb(Zr,Ti)O3 薄膜的高重复性制备的影响
DOI：
10.1143/jjap.46.2139
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发表时间：
2007
影响因子：
1.5
通讯作者：
H. Funakubo
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
N. Menou;Hiroki Kuwabara;H. Funakubo
在本文中，我们报告了通过脉冲金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 在不同 (111) 取向的底部电极叠层（SrRuO3/Pt、Pt 和 Ir 基板）上沉积的 Pb(Zr,Ti)O3 薄膜的结构、形态和电性能的比较研究。每次沉积运行时都会系统地修改 MOCVD 腔室中的 Pb 输入比率，以便在 Pb 工艺窗口内获得具有各种成分的 PZT 薄膜。我们的结果清楚地表明，只有沉积在 SrRuO3 上的 PZT 薄膜在整个工艺窗口中表现出高质量和可重复的特性，即高 (111) 织构、低粗糙度 (<5 nm)、高 Pr (~40 µC/cm2)、低 Vc (<1 V) 以及相对较低的漏电流（1.5 V 时~10-5 A/cm2）。这项研究提供了进一步的证据，证明 SrRuO3/Pt 衬底是集成在下一代高密度铁电随机存取存储器 (FeRAM) 中的良好候选者。
In the present paper we report a comparative study of the structural, morphologic, and electric properties of Pb(Zr,Ti)O3 films, deposited by pulsed metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD), on different (111)-oriented bottom-electrode stacks (SrRuO3/Pt, Pt, and Ir substrates). The Pb input ratio in the MOCVD chamber was systematically modified for each deposition run to obtain PZT films with various compositions within the Pb process window. Our results clearly demonstrate that only PZT films deposited on SrRuO3 show high quality and reproducible properties throughout the process window, i.e., high (111) texture, low roughness (<5 nm), high Pr (∼40 µC/cm2), low Vc (<1 V), as well as a relatively low leakage current (∼10-5 A/cm2 at 1.5 V). This study provides further evidence that SrRuO3/Pt substrates are good candidates for integration in next-generation high-density ferroelectric random access memories (FeRAM).
影响因子：
4
作者：
Yong Kim;H. Morioka;R. Ueno;S. Yokoyama;H. Funakubo
通讯作者：
Yong Kim;H. Morioka;R. Ueno;S. Yokoyama;H. Funakubo
{100}、{111} 取向 Pb(Zr,Ti)O3 纳米棒的畴结构和尺寸依赖性
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
山田 智明;伊藤 大介;坂田 修身;黒石 隼輝;生津 資大;清水 荘雄;舟窪 浩;吉野 正人;長崎 正雅
通讯作者：
長崎 正雅