Investigation about I-V characteristics in a new electronic structure model of the Ohmic contact for future nano-scale Ohmic contact
Investigation about I-V characteristics in a new electronic structure model of the Ohmic contact for future nano-scale Ohmic contact
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针对未来纳米级欧姆接触的新型欧姆接触电子结构模型中的 I-V 特性研究
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Shiraishi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Takada;M.Muraguchi;T.Endoh;S.Nomura;K.Shiraishi
AlGaAs/GaAs 异质结构欧姆接触的物理和电气研究
DOI：
10.1063/1.357908
发表时间：
1994
期刊：
影响因子：
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作者：
Richard Taylor;P. Coleridge;M. Davies;Y. Feng;J. McCaffrey;P. Marshall
通讯作者：
P. Marshall
亚微米长度尺度的 AlGaAs/GaAs 异质结构中二维电子系统的合金欧姆接触
影响因子：
3.3
作者：
O. Göktaş;J. Weber;J. Weis;K. Klitzing
通讯作者：
K. Klitzing
AlGaN∕GaN异质结构上的低接触电阻和光滑表面Ti∕Al∕Nb∕Au欧姆电极
DOI：
10.1063/1.1810210
发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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作者：
T. Nakayama;H. Miyamoto;Y. Ando;Y. Okamoto;T. Inoue;K. Hataya;M. Kuzuhara
通讯作者：
M. Kuzuhara