Theoretical investigations on the formation of wurtzite segments in group III-V semiconductor nanowires
Theoretical investigations on the formation of wurtzite segments in group III-V semiconductor nanowires
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III-V族半导体纳米线中纤锌矿链段形成的理论研究
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and T.Ito
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Yamashita;K.Sano;T.Akivama;K.Nakamura;and T.Ito
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影响因子：
1.5
作者：
K. Tomioka;J. Motohisa;S. Hara;T. Fukui
通讯作者：
K. Tomioka;J. Motohisa;S. Hara;T. Fukui
基于经验势的Si-Ge原子间势及其在超晶格稳定性中的应用。
DOI：
10.1103/physrevb.40.9715
发表时间：
1989
期刊：
Physical review. B, Condensed matter
影响因子：
--
作者：
Ito;Khor;Das Sarma S
通讯作者：
Das Sarma S
InP纳米线孪生结构的蒙特卡罗模拟研究
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
J. Cryst. Growth 301-302
影响因子：
--
作者：
K.Sano;T.Akivama;K.Nakamura and T.Ito
通讯作者：
K.Nakamura and T.Ito
提出了元素四面体键合半导体的通用原子间势。
DOI：
10.1103/physrevb.38.3318
发表时间：
1988
期刊：
Physical review. B, Condensed matter
影响因子：
--
作者：
Khor;Das Sarma S
通讯作者：
Das Sarma S
影响因子：
1.8
作者：
J. Motohisa;J. Noborisaka;J. Takeda;M. Inari;T. Fukui
通讯作者：
J. Motohisa;J. Noborisaka;J. Takeda;M. Inari;T. Fukui