Carrier relaxation in closely stacked InAs quantum dots
Carrier relaxation in closely stacked InAs quantum dots
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紧密堆叠的 InAs 量子点中的载流子弛豫
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Arakawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Nakaoka;J.Tatebayashi;T.Saito;Y.Arakawa
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