GaN/AlGaN nanocolumn ultraviolet light-emitting diodes grown on n-(111)Si by RF-plasma-assisted molecular beam epitaxy
GaN/AlGaN nanocolumn ultraviolet light-emitting diodes grown on n-(111)Si by RF-plasma-assisted molecular beam epitaxy
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射频等离子体辅助分子束外延在 n-(111)Si 上生长 GaN/AlGaN 纳米柱紫外发光二极管
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Kikuchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Sekiguchi;K. Kishino;A. Kikuchi
InGaN/GaN 纳米柱 LED 和射频等离子体辅助分子束外延选择性区域生长 GaN 纳米晶体
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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作者：
A. Kikuchi;H. Sekiguchi and K. Kishino
通讯作者：
H. Sekiguchi and K. Kishino
载流子阻挡层对AlGaN基紫外发光二极管发射特性的影响
影响因子：
1.5
作者：
Ji;D. Fothergill;Xiyao Zhang;Z. Reitmeier;J. Muth;R. Davis
通讯作者：
R. Davis