High figures of merit and natural nanostructures in Mg2Si0.4Sn0.6 based thermoelectric materials
High figures of merit and natural nanostructures in Mg2Si0.4Sn0.6 based thermoelectric materials
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Mg2Si0.4Sn0.6 基热电材料的高品质因数和天然纳米结构
DOI：
10.1063/1.2981516
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发表时间：
2008-09
影响因子：
4
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Mg_2（Si，Sn）化合物具有良好的热电性能、无毒性和丰富的组成元素，在热电领域有着广阔的应用前景。本文报道了高性能Mg2Si0.4−xSn0.6Sbx（0 <$x <$0.015）合金的热电性能和微观结构。由于相对较低的热导率，在x=0.0075的样品中已经获得了最新的ZT值1.1。鉴于简单的立方结构和大多数轻的组成元素，晶格热导率的降低已经讨论了与相当大量的原位形成的纳米结构在这些样品中。
Mg2(Si,Sn) compounds have shown great promise for thermoelectric applications due to good thermoelectric properties, nontoxicity, and abundantly available constituent elements. Herein we report on the thermoelectric properties and microstructure of high performance Mg2Si0.4−xSn0.6Sbx (0⩽x⩽0.015) alloys. The state-of-the-art ZT value of ∼1.1 has been attained in the samples with x=0.0075 due to the relatively low thermal conductivity. In light of the simple cubic structure and mostly light constituent elements, the reduction in lattice thermal conductivity has been discussed in connection with a fairly large amount of in situ formed nanostructures in these samples.
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影响因子：
3.5
作者：
S. H. Yang;T. Zhu;T. Sun;J. He;S. N. Zhang;X. Zhao
通讯作者：
S. H. Yang;T. Zhu;T. Sun;J. He;S. N. Zhang;X. Zhao
影响因子：
3.7
作者：
V. Zaitsev;M. Fedorov;E. A. Gurieva;I. Eremin;P. P. Konstantinov-P.;A. Samunin;M. Vedernikov
通讯作者：
V. Zaitsev;M. Fedorov;E. A. Gurieva;I. Eremin;P. P. Konstantinov-P.;A. Samunin;M. Vedernikov
影响因子：
56.9
作者：
Hsu, KF;Loo, S;Kanatzidis, MG
通讯作者：
Kanatzidis, MG
影响因子：
3.2
作者：
N. Peranio;O. Eibl
通讯作者：
N. Peranio;O. Eibl
影响因子：
3.7
作者：
Nolas, G. S.;Wang, D.;Beekman, M.
通讯作者：
Beekman, M.