4H-SiC VJFETs with Self-Aligned Contacts
4H-SiC VJFETs with Self-Aligned Contacts
复制标题
具有自对准触点的 4H-SiC VJFET
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.821-823.793
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Zekentes K
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Zekentes K
4H-SiC 静态感应晶体管的制造问题
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Stavrinidis;G. Konstantinidis;M. Kayambaki;F. Cayrel;D. Alquier;Zhuo Gao;K. Zekentes
通讯作者：
K. Zekentes