Electrically-tuned transition of band alignment in arsenene/MoTe2 van der Waals heterostructures
Electrically-tuned transition of band alignment in arsenene/MoTe2 van der Waals heterostructures
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砷烯/MoTe2范德华异质结构中能带排列的电调谐转变
DOI：
10.1016/j.vacuum.2021.110612
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发表时间：
2021-09
期刊：
影响因子：
4
通讯作者：
F. Huang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
L.S. Huang;H.P. Liang;H.M. Dong;Yifeng Duan;F. Huang
基于第一性原理计算，研究了单层砷烯（As）、MoTe 2及其货车德瓦耳斯（vdW）异质结构的电子性质.结果表明，由于强的内建电场和层间电子转移，外加电场可以有效地调节As/MoTe 2 vdW异质结的电子性质，特别是带隙. H/O原子在异质结上的吸附明显地受到外电场的调节。在这种异质结构中，从I型到II型能带排列的转变是通过改变由于空间反转对称性破缺而施加的电场来实现的。我们的研究为基于As/MoTe 2的新型vdW异质结的应用提供了可能性。
Based on the first principles calculations, the electronic properties of single layer arsenene (As), MoTe2 and their van der Waals (vdW) heterostructures are studied. It shows that the electronic properties, especially the bandgaps of As/MoTe2 vdW heterostructures are effectively tuned by applied external fields due to the strong in-build electric field and the inter-layer electron transferring. The absorptions of H/O atom on the heterostructures are clearly tuned by the external electric fields. The transition from type I to type II band alignment in such heterostructures are realized by varying the applied electric field owing to the spatial inversion symmetry breaking. Our study provides the possibility for the applications of novel vdW heterostructures based on As/MoTe2.
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作者：
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