High resolution Schottky CdTe diode detector
High resolution Schottky CdTe diode detector
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高分辨率肖特基 CdTe 二极管检测器
DOI：
10.1109/nssmic.2001.1009317
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发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
K. Mori
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Takahashi;T. Mitani;Y. Kobayashi;M. Kouda;G. Sato;S. Watanabe;K. Nakazawa;Y. Okada;M. Funaki;R. Ohno;K. Mori
我们描述了肖特基碲化镉二极管探测器用于光谱分析的最新进展。CdTe二极管的低漏电流使我们能够施加比以前的CdTe探测器更高的偏置电压。对于0.5-1 mm厚的相对薄的检测器，高偏置电压导致器件中的高电场。改进的电荷收集效率和低漏电流导致在60 keV下对于2/spl times/2 mm/sup 2/器件的能量分辨率优于600 eV FWHM，而无需任何电荷损失校正电子器件。现已推出尺寸为21/spl times/21 mm/sup 2/的大面积探测器，能量分辨率为/spl sim/2.8 keV。对于相对薄（< 1 mm）的探测器，如果它们被冷却或在高偏置电压下工作，则可以容易地获得长期稳定性。
We describe recent progress on the use of Schottky CdTe diode detectors for spectrometry. The low leakage current of the CdTe diode allows us to apply a much higher bias voltage than was possible with previous CdTe detectors. For a relatively thin detector of 0.5-1 mm thick, the high bias voltage results in a high electric field in the device. Both the improved charge collection efficiency and the low-leakage current lead to an energy resolution of better than 600 eV FWHM at 60 keV for a 2/spl times/2 mm/sup 2/ device without any charge-loss correction electronics. Large area detectors with dimensions of 21/spl times/21 mm/sup 2/ are now available with an energy resolution of /spl sim/2.8 keV. Long term stability can be easily attained for relatively thin (< 1 mm) detectors, if they are cooled or operated under a high bias voltage.
基于高分辨率 CdTe 二极管的大面积伽马射线成像探测器
DOI：
--
发表时间：
2003
期刊：
IEEE Trans.Nucl.Sci. Vol.50 No.4
影响因子：
--
作者：
T.Takahashi;T.Mitani;et al.
通讯作者：
et al.
150 MeV 质子辐照肖特基 CdTe 二极管的激活特性
DOI：
--
发表时间：
2003
期刊：
IEEE Trans.Nucl.Sci. Vol.50 No.4
影响因子：
--
作者：
M.Murakami;Y.Kobayashi;T.Takahashi;et al.
通讯作者：
et al.
影响因子：
1.8
作者：
Takahashi, T;Watanabe, S
通讯作者：
Watanabe, S