All-optical single-electron read-out devices based on GaN quantum dots
All-optical single-electron read-out devices based on GaN quantum dots
复制标题
基于GaN量子点的全光单电子读出器件
DOI：
10.1063/1.1532546
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发表时间：
2002
影响因子：
4
通讯作者：
F. Rossi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
I. D’Amico;F. Rossi
我们研究了GaN耦合量子点中的少粒子相互作用，并讨论了这些结构的内建场特性如何强烈地增强偶极-偶极和偶极-偶极相互作用。我们引入了一个半分析模型，允许快速和容易地估计的数量级的几个粒子的相互作用，其预测是接近10%以上的“确切”的结果。我们将我们的研究应用于全光读出设备的设计，该设备利用远程偶极-双极相互作用，也可用于监测量子点系统的电荷状态。
We study few-particle interactions in GaN-coupled quantum dots and discuss how the built-in field characteristic of these structures strongly reinforce dipole–dipole and dipole–monopole interactions. We introduce a semi-analytical model that allows for a rapid and easy estimate of the magnitude of few-particle interactions and whose predictions are closer than 10% to “exact” results. We apply our study to the design of an all-optical read-out device that exploits long-range dipole–monopole interactions and may be also used to monitor the charge status of a quantum dot system.
影响因子：
4
作者：
G. Yusa;H. Sakaki
通讯作者：
G. Yusa;H. Sakaki