Synthesis of epitaxial Si(100) nanowires on Si(100) substrate using vapor–liquid–solid growth in anodic aluminum oxide nanopore arrays
Synthesis of epitaxial Si(100) nanowires on Si(100) substrate using vapor–liquid–solid growth in anodic aluminum oxide nanopore arrays
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利用阳极氧化铝纳米孔阵列中的气-液-固生长在 Si(100) 衬底上合成外延 Si(100) 纳米线
DOI：
10.1007/s00339-007-3984-y
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
U. Gösele
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Tomohiro Shimizu;S. Senz;S. Shingubara;U. Gösele
利用阳极氧化铝（AAO）模板、夹在模板和Si（100）衬底之间的催化金膜以及使用SiH4作为Si源的气-液-固生长相结合，证明了在Si（100）衬底上生长方向平行于Si[100]的外延Si纳米线的合成。从AAO纳米孔中生长出来后，大多数Si纳米线的直径和生长方向都改变为更大的直径和<111>方向。
The synthesis of epitaxial Si nanowires with growth direction parallel to Si [100] on Si(100) substrate was demonstrated using a combination of anodic aluminum oxide (AAO) template, catalytic gold film sandwiched between the template and the Si(100) substrate and vapor-liquid-solid growth using SiH4 as the Si source. After growing out from the AAO nanopores, most Si nanowires changed their diameter and growth direction into larger diameter and 〈111〉 direction.
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影响因子：
13.3
作者：
Schmidt, V;Riel, H;Gösele, U
通讯作者：
Gösele, U
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DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
Electrochemical and Solid-State Letters 9・4
影响因子：
--
作者：
T.Shimizu;M.Nagayanagi;S.Shingubara
通讯作者：
S.Shingubara
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DOI：
--
发表时间：
2004
期刊：
Transaction of Magnetic Society of Japan 4
影响因子：
--
作者：
T.Shimizu;S.Shingubara et al.
通讯作者：
S.Shingubara et al.
影响因子：
56.9
作者：
MASUDA, H;FUKUDA, K
通讯作者：
FUKUDA, K