Crossover of electron-electron interaction effect in Sn-doped indium oxide films
Crossover of electron-electron interaction effect in Sn-doped indium oxide films
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Sn掺杂氧化铟薄膜中电子-电子相互作用效应的交叉
DOI：
10.1063/1.4914505
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发表时间：
2015-03
影响因子：
4
通讯作者：
Li, Zhi-Qing
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang, Yu-Jie;Gao, Kuang-Hong;Li, Zhi-Qing
我们系统地研究了一系列sn掺杂氧化铟（ITO）薄膜的结构和电输运性质，其厚度范围为~ 5 ~ ~ 53 nm。扫描电子显微镜和x射线衍射结果表明，t > 16.8 n
We systematically study the structures and electrical transport properties of a series of Sn-doped indium oxide (ITO) films with thickness t ranging from ∼5 to ∼53 nm. Scanning electron microscopy and x-ray diffraction results indicate that the t ≲ 16.8 n
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发表时间：
2013-03-14
期刊：
Molecules (Basel, Switzerland)
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--
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