Negative spin polarization of Mn2VGa Heusler alloy thin film studied in current-perpendicular-to-plane giant magnetoresistance devices
Negative spin polarization of Mn2VGa Heusler alloy thin film studied in current-perpendicular-to-plane giant magnetoresistance devices
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电流垂直平面巨磁阻器件研究Mn2VGa Heusler合金薄膜的负自旋极化
DOI：
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Yuya Sakuraba
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hirofumi Suto;Vineet Barwal;Zehao Li;Keisuke Masuda;Taisuke Sasaki;and Yuya Sakuraba
多重自旋注入耦合场生成层以实现 MAMR 磁头的低电流操作
影响因子：
2.1
作者：
Y. Nakagawa;M. Takagishi;N. Narita;Mikhail Amelyushkin;T. Maeda
通讯作者：
T. Maeda