Control of InGaAs Capping Layer Induced Optical Polarization in Edge-Emitting Photoluminescence of InAs Quantum Dots
Control of InGaAs Capping Layer Induced Optical Polarization in Edge-Emitting Photoluminescence of InAs Quantum Dots
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InAs 量子点边缘发射光致发光中 InGaAs 覆盖层诱导光偏振的控制
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
P.Jayavel
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P.Jayavel
InAs/GaAs 量子点封装初始阶段的形状和表面形貌变化
DOI：
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发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
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作者：
P. Joyce;T. J. Krzyzewski;P. H. Steans;G. Bell;J. Neave;T. Jones
通讯作者：
T. Jones
柱状 InAs/GaAs 自组装量子点的偏振无关光致发光
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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作者：
T. Kita;O. Wada;H. Ebe;Y. Nakata;M. Sugawara
通讯作者：
M. Sugawara
光谱烧孔技术在自组装量子点非均匀展宽增益中在多波长通道非线性光学器件中的应用
影响因子：
2.6
作者：
Tomoyuki Akiyama;Haruhiko Kuwatsuka;T. Simoyama;Y. Nakata;K. Mukai;Mitsuru Sugawara;Osamu Wada;Hiroshi Ishikawa
通讯作者：
Hiroshi Ishikawa