High carrier mobility in suspended-channel graphene field effect transistors
High carrier mobility in suspended-channel graphene field effect transistors
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悬浮沟道石墨烯场效应晶体管的高载流子迁移率
DOI：
10.1063/1.4828835
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发表时间：
2013-11
影响因子：
4
通讯作者：
Qian, He
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Lv, Hongming;Wu, Huaqiang;Liu, Jinbiao;Yu, Jiahan;Niu, Jiebin;Li, Junfeng;Xu, Qiuxia;Wu, Xiaoming;Qian, He
提出了一种沟道悬浮法制备高性能石墨烯场效应晶体管（GFET）。在栅极效率和载流子迁移率之间达到平衡。栅极尺寸为15 μm × 15 μm的GFET实现了高no
A channel suspension method to fabricate high performance graphene field effect transistors (GFET) is presented in this paper. The balance is reached between gate efficiency and carrier mobility. A GFET with 15 μm × 15 μm gate dimension achieves a high no
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影响因子：
4
作者：
Zhang, Zhiyong;Xu, Huilong;Zhong, Hua
通讯作者：
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影响因子：
6.7
作者：
Cho, Dae-Hyun;Wang, Lei;Lee, Changgu
通讯作者：
Lee, Changgu
DOI：
10.1007/978-3-319-97604-4
发表时间：
2019
期刊：
Springer Proceedings in Physics
影响因子：
--
作者：
Ravi Sharma;D. S. Rawal
通讯作者：
Ravi Sharma;D. S. Rawal
影响因子：
2.1
作者：
Bolotin, K. I.;Sikes, K. J.;Stormer, H. L.
通讯作者：
Stormer, H. L.
影响因子：
38.3
作者：
Du, Xu;Skachko, Ivan;Andrei, Eva Y.
通讯作者：
Andrei, Eva Y.