Modulation of copper(I) oxide reduction/oxidation in atmospheric pressure plasma jet
Modulation of copper(I) oxide reduction/oxidation in atmospheric pressure plasma jet
复制标题
大气压等离子体射流中氧化铜还原/氧化的调节
DOI：
10.1016/j.elecom.2018.08.014
复制
发表时间：
2018
影响因子：
5.4
通讯作者：
Sener M
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Sener M
我们描述了可控还原铜（I）氧化物薄膜金属铜在非热，大气压，氦等离子体射流。用电化学方法在Pt电极上沉积了厚度约为0.1 μm的Cu2O薄层，并将其置于掺杂H2、O2或CH4气体的电容耦合氦等离子体中。非原位拉曼光谱用于探测等离子体处理对沉积的氧化铜层的影响。我们表明，在等离子体暴露过程中施加的静态偏置电压的Pt衬底可以控制的铜（I）氧化物膜的还原率。我们建议，还原过程是介导的等离子体电子和控制的电子通量的表面可以被用来作为一种手段来调制的还原过程。
We describe the controlled reduction of copper(I) oxide films to metallic copper in a non-thermal, atmospheric pressure, helium plasma jet. Thin layers (≈0.1 μm) of Cu2O are electrochemically deposited onto Pt electrodes and placed in capacitively coupled helium plasma doped with H2, O2or CH4gases. Ex situ Raman spectroscopy was used to probe the effect of plasma treatment on the deposited copper oxide layer. We show that application of a static bias voltage to the Pt substrate during plasma exposure can control the rate of reduction of the copper(I) oxide film. We propose that the reduction process is mediated by plasma electrons and controlling the electron flux to the surface can be used as a means to modulate the reduction process.
登录
查看更多内容
等离子体电化学：火焰等离子体电解质中的伏安法。
DOI：
10.1039/c2cp43431h
发表时间：
2013
期刊：
Physical chemistry chemical physics : PCCP
影响因子：
--
作者：
A. Elahi;D. Caruana
通讯作者：
D. Caruana
离子传导 AgBr 和 AgCl 的等离子体电化学生长
DOI：
--
发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Vennekamp;J. Janek
通讯作者：
J. Janek
射频放电中的等离子体电化学氯等离子体中银的氧化
影响因子：
3.9
作者：
M. Vennekamp;J. Janek
通讯作者：
J. Janek
影响因子：
2.1
作者：
Hadzifejzovic E
通讯作者：
Hadzifejzovic E
影响因子：
3.9
作者：
Fredj, N.;Burleigh, T. D.
通讯作者：
Burleigh, T. D.