Bias-Stress-Introduced Threshold-Voltage Shift in Pentacene Thin-Film Transistors
Bias-Stress-Introduced Threshold-Voltage Shift in Pentacene Thin-Film Transistors
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并五苯薄膜晶体管中偏置应力引入的阈值电压偏移
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Majima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D.Kawakami;Y.Yasutake;H.Nishizawa;Y.Majima
影响因子：
3.2
作者：
Street, R. A.;Chabinyc, M. L.;Ong, B.
通讯作者：
Ong, B.