Auger effect limited performance in tunnel field effect transistors
Auger effect limited performance in tunnel field effect transistors
复制标题
俄歇效应限制了隧道场效应晶体管的性能
DOI：
10.1109/e3s.2017.8246156
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Ghosh, Avik
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ahmed, Sheikh;Tan, Yaohua;Truesdell, Daniel;Ghosh, Avik
通过连接原子模拟和实验结果，了解逻辑缩放 III-V TFET 的可行性
DOI：
10.1109/vlsit.2012.6242522
发表时间：
2012
期刊：
2012 Symposium on VLSI Technology (VLSIT)
影响因子：
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作者：
U. Avci;S. Hasan;D. Nikonov;R. Rios;K. Kuhn;I. Young
通讯作者：
I. Young