K.Ikeda,...,M.Matsumura: "Characterization of initial 1ML growth of Si and Ge"Applied Surface Science. (2001)
K.Ikeda,...,M.Matsumura: "Characterization of initial 1ML growth of Si and Ge"Applied Surface Science. (2001)
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K.Ikeda,...,M.Matsumura:“Si 和 Ge 初始 1ML 生长的表征”应用表面科学。
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6
作者:
V. Venditto;G. Guerra;P. Corradini;R. Fusco
通讯作者:
R. Fusco
DOI:
10.1016/s0167-2991(00)80625-4
发表时间:
2000
期刊:
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作者:
S. Kim;E. Magni;G. Somorjai
通讯作者:
G. Somorjai
DOI:
10.1023/a:1019091305212
发表时间:
2000
期刊:
影响因子:
--
作者:
A. Ramos;S. Kim;Pei;Jae Hee Song;G. Somorjai
通讯作者:
G. Somorjai
DOI:
10.1016/0009-2614(93)89093-w
发表时间:
1993
期刊:
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--
作者:
J. Delhalle;J. Riga;J. Denis;M. Deleuze;M. Dosière
通讯作者:
M. Dosière
DOI:
10.1080/10543414.1999.10744501
发表时间:
1999
期刊:
影响因子:
--
作者:
A. Shariati;C. Hsu;D. Bacon
通讯作者:
D. Bacon