Effects of hole doping on selectivity of naphthalene towards single-wall carbon nanotubes
Effects of hole doping on selectivity of naphthalene towards single-wall carbon nanotubes
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空穴掺杂对萘对单壁碳纳米管选择性的影响
DOI：
10.1016/j.commatsci.2007.01.003
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发表时间：
2007-09
影响因子：
3.3
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
利用第一性原理计算，我们发现空穴掺杂显著增强了萘在单壁碳纳米管（SWNTs）上的吸附强度。随着掺杂量的增加，萘在（10，0）型单壁碳纳米管上的吸附强度比在（5，5）型单壁碳纳米管上的吸附强度更强.然而，吸附强度的增强似乎对单壁碳纳米管的电子结构不敏感。对于类似尺寸的单壁碳纳米管，空穴掺杂并不逆转萘对金属单壁碳纳米管与其半导体对应物的选择性吸附。这与NH2CH3吸附形成鲜明对比，其中空穴掺杂可以逆转NH2CH3对金属单壁碳纳米管与类似尺寸的半导体单壁碳纳米管的选择性。
Using first principle calculations, we find that hole doping remarkably enhances adsorption strength of naphthalene on single-wall carbon nanotubes (SWNTs). The enhancement in adsorption strength is more significant for the larger-sized SWNTs, and the adsorption of naphthalene on the larger-sized (10,0) SWNTs becomes stronger than that on the smaller-sized (5,5) SWNTs at a higher doping level. However, the enhancement in adsorption strength appears insensitive to the electronic structure of SWNTs. For similar-sized SWNTs, hole doping does not reverse the selective adsorption of naphthalene towards metallic SWNTs versus their semiconducting counterparts. This is in sharp contrast to NH2CH3adsorption, where hole doping can reverse the selectivity of NH2CH3towards metallic SWNTs versus similar-sized semiconducting SWNTs.
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影响因子：
--
作者：
Yasuhiko Tomonari;H. Murakami;N. Nakashima
通讯作者：
Yasuhiko Tomonari;H. Murakami;N. Nakashima
影响因子：
15
作者：
Chattopadhyay, D;Galeska, L;Papadimitrakopoulos, F
通讯作者：
Papadimitrakopoulos, F
影响因子：
15
作者：
Li, HP;Zhou, B;Sun, YP
通讯作者：
Sun, YP
DOI：
10.1002/cphc.200400593
发表时间：
2005-04
期刊：
Chemphyschem : a European journal of chemical physics and physical chemistry
影响因子：
--
作者：
Jijun Zhao;Zhongfang Chen;Zhen Zhou;Hyoungki Park;P. Rague von Schleyer;J. Lu
通讯作者：
Jijun Zhao;Zhongfang Chen;Zhen Zhou;Hyoungki Park;P. Rague von Schleyer;J. Lu
影响因子：
56.9
作者：
Zheng, M;Jagota, A;Walls, DJ
通讯作者：
Walls, DJ