Al-doped ZnS thin films for buffer layers of solar cells prepared by chemical bath deposition
Al-doped ZnS thin films for buffer layers of solar cells prepared by chemical bath deposition
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化学浴沉积制备太阳能电池缓冲层用Al掺杂ZnS薄膜
DOI：
10.1049/mnl.2013.0039
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发表时间：
2013-06
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Long, Bo
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Liao, Jie;Cheng, Shuying;Zhou, Haifang;Long, Bo
在这项报道的研究中，通过在碱性条件下化学浴沉积以及氨/氯化铵缓冲溶液中稳定的柠檬酸钠络合剂制备了掺铝的ZnS（ZnS：Al）薄膜。 Al 浓度从 0 at.% 变化到 10 at.%。通过X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外(FTIR)光谱和拉曼光谱证实了薄膜的结构和组成。 XRD、FTIR和拉曼光谱证实了ZnS和Al-S键的存在，这对薄膜的性能有一定的影响。光学特性表明带隙随Al掺杂浓度的变化。分析了不同Al掺杂浓度的ZnS:Al薄膜退火后的电阻率，其中Al浓度为6 at.%的样品电阻率最低，为9.9×10
4
Ω·厘米。
In this reported study, Al-doped ZnS (ZnS:Al) thin films were fabricated by chemical bath deposition in alkaline condition along with a stable complexing agent of sodium citrate in ammonia/ammonium chloride buffer solution. Al concentrations were varied from 0 to 10 at.%. The structure and composition of the films were confirmed by X-ray diffraction (XRD), Fourier transform infrared (FTIR) spectra and Raman spectroscopy. The XRD, FTIR and Raman spectra confirmed the existence of ZnS and Al-S bond, which had some effects on the properties of the films. The optical characteristics indicated the changes of the bandgap with the Al-doping concentrations. The resistivity of the ZnS:Al films with different Al-doping concentrations after annealing was analysed and the sample with 6 at.% Al concentration had the lowest resistivity of 9.9 × 10
4
Ω cm.
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影响因子：
3.3
作者：
K. Yamaguchi;Tsukasa Yoshida;A. Lincot;H. Minoura
通讯作者：
K. Yamaguchi;Tsukasa Yoshida;A. Lincot;H. Minoura
DOI：
10.1016/j.phpro.2012.03.062
发表时间：
2012
期刊：
Physics Procedia
影响因子：
--
作者：
K. Nagamani;P. Prathap;Y. Lingappa;R. Miles;K. Reddy
通讯作者：
K. Nagamani;P. Prathap;Y. Lingappa;R. Miles;K. Reddy
影响因子：
6.7
作者：
G. Laukaitis;S. Lindroos;S. Tamulevičius;M. Leskelä
通讯作者：
G. Laukaitis;S. Lindroos;S. Tamulevičius;M. Leskelä
影响因子：
2.8
作者：
M. Öztaş;M. Bedir;A. Yazıcı;E. V. Kafadar;H. Toktamış
通讯作者：
M. Öztaş;M. Bedir;A. Yazıcı;E. V. Kafadar;H. Toktamış
DOI：
10.1016/c2009-0-07448-0
发表时间：
1989
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
J. Walls
通讯作者：
J. Walls