Effect of Indium on Photoluminescence Properties of InGaPN Layers Grown by Solid Source Molecular Beam Epitaxy
Effect of Indium on Photoluminescence Properties of InGaPN Layers Grown by Solid Source Molecular Beam Epitaxy
复制标题
铟对固源分子束外延生长的InGaPN层光致发光性能的影响
DOI：
--
复制
发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
A.Wakahara
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S.M.Kim;Y.Furukawa;H.Yonezu;K.Umeno;A.Wakahara
GaP 上晶格匹配的 InxGa1-xP1-yNy 异质外延层的光学特性
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
Phys.Stat.Sol.(a) Vol.202, No.5
影响因子：
--
作者：
T.Imanishi;A.Wakahara;S.-M.Kim;H.Yonezu;Y.Furukawa
通讯作者：
Y.Furukawa
通过 X 射线吸收光谱探测 (GaIn)(NAs) 中的最近邻构型。
影响因子：
8.6
作者：
V. Lordi;V. Gambin;S. Friedrich;T. Funk;T. Takizawa;K. Uno;J. Harris
通讯作者：
J. Harris
通过热退火提高 GaPN 层的发光效率
DOI：
10.1002/pssc.200303346
发表时间：
2003
期刊：
Physica Status Solidi (c)
影响因子：
--
作者：
A. Utsumi;H. Yonezu;Y. Furukawa;K. Momose;K. Kuroki
通讯作者：
K. Kuroki