A Novel Domain-Confined Growth Strategy for In Situ Controllable Fabrication of Individual Hollow Nanostructures.
A Novel Domain-Confined Growth Strategy for In Situ Controllable Fabrication of Individual Hollow Nanostructures.
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用于原位可控制造单个空心纳米结构的新型域限制生长策略
DOI：
10.1002/advs.201700213
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发表时间：
2018-05
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Sun L
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Tang L;He L;Zhang L;Yu K;Xu T;Zhang Q;Dong H;Zhu C;Sun L
半导体纳米晶体的结构和性质的控制和定制对于未来纳米器件的设计和制造特别重要。在这里，报道了一种新的域限制生长策略，用于在透射电子显微镜内原位可控地制造单个单晶中空NC（h-NC），这使得能够对整个反应进行原子尺度的监测。在此过程中，预形成的碳壳充当用于形成CdSeS h-NC的纳米反应单元。电子束（e‐beam）辐照被证明是固体到中空形状转变的关键激活因素。还发现CdSeS中空NC的形成对CdSe/CdS NC与碳壳的体积比敏感，并且仅那些具有0.2-0.8范围内的体积比的CdSe/CdS NC被成功地转化为中空NC。该方法为潜在地使用电子束原位定制针对未来纳米器件应用的单个半导体NC铺平了道路。
The manipulation and tailoring of the structure and properties of semiconductor nanocrystals (NCs) is significant particularly for the design and fabrication of future nanodevices. Here, a novel domain‐confined growth strategy is reported for controllable fabrication of individual monocrystal hollow NCs (h‐NCs) in situ inside a transmission electron microscope, which enables the atomic scale monitoring of the entire reaction. During the process, the preformed carbon shells serve as nanoreaction cells for the formation of CdSeS h‐NCs. Electron beam (e‐beam) irradiation is demonstrated to be the key activation factor for the solid‐to‐hollow shape transformation. The formation of CdSeS hollow NCs is also found to be sensitive to the volume ratio of the CdSe/CdS NCs to the carbon shell and only those CdSe/CdS NCs with a volume ratio in the range 0.2–0.8 are successfully converted into hollow NCs. The method paves the way to potentially use an e‐beam for the in situ tailoring of individual semiconductor NCs targeted toward future nanodevice applications.
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