Extended-range order in tetrahedral amorphous semiconductors: The case of amorphous silicon
Extended-range order in tetrahedral amorphous semiconductors: The case of amorphous silicon
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四面体非晶半导体的扩展程有序：非晶硅的情况
DOI：
10.1103/physrevb.105.115203
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发表时间：
2022
影响因子：
3.7
通讯作者：
Biswas, Parthapratim
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Dahal, Devilal;Elliott, Stephen R.;Biswas, Parthapratim
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利用分子动力学生成非晶硅的大结构（105 个原子）
DOI：
--
发表时间：
1991
期刊：
影响因子：
--
作者：
J. Holender;G. J. Morgan
通讯作者：
G. J. Morgan
非晶固体中的扩展范围传播序
DOI：
--
发表时间：
1994
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Uhlherr;S. Elliott
通讯作者：
S. Elliott
影响因子：
4.6
作者：
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通讯作者：
Mehta A
DOI：
--
发表时间：
1987
期刊：
影响因子：
--
作者：
G. Lucovsky
通讯作者：
G. Lucovsky
a-Si:H 中微孔的纳米级结构：第一性原理研究
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
Journal of Physics: Condensed Matter
影响因子：
--
作者：
P. Biswas;S. Elliott
通讯作者：
S. Elliott