Source and Drain Structures for Suppressing Ambipolar Characteristics of Graphene Field-Effect Transistors
Source and Drain Structures for Suppressing Ambipolar Characteristics of Graphene Field-Effect Transistors
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抑制石墨烯场效应晶体管双极特性的源极和漏极结构
DOI：
10.1143/apex.2.061601
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发表时间：
2009
影响因子：
2.3
通讯作者：
T. Otsuji
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
E. Sano;T. Otsuji
石墨烯场效应晶体管 (GFET) 中的金属-石墨烯接触会导致双极性特性，不适合互补逻辑电路。我们设计了源极和漏极结构来抑制 GFET 中的这些双极性特性。计算结果证明了所设计结构的有效性。类似的结构可以应用于具有窄间隙材料制成的沟道的 FET。
Metal-graphene contact in graphene field-effect transistors (GFETs) causes ambipolar characteristics unsuitable for complementary logic circuits. We devised source and drain structures for suppressing these ambipolar characteristics in GFETs. The calculation results demonstrate the effectiveness of the devised structures. Similar structures could be applied to FETs with channels made by narrow-gap materials.
影响因子：
56.9
作者：
Ohta, Taisuke;Bostwick, Aaron;Rotenberg, Eli
通讯作者：
Rotenberg, Eli