Nonvolatile Static Random Access Memory Using Magnetic Tunnel Junctions with Current-Induced Magnetization Switching Architecture
Nonvolatile Static Random Access Memory Using Magnetic Tunnel Junctions with Current-Induced Magnetization Switching Architecture
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使用磁隧道结和电流感应磁化开关架构的非易失性静态随机存取存储器
DOI：
10.1143/jjap.48.043001
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发表时间：
2008
影响因子：
1.5
通讯作者：
S. Sugahara
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shuu'ichirou Yamamoto;S. Sugahara
我们提出并计算分析了一种非易失性静态随机存取存储器（NV-SRAM）单元使用磁隧道结（MTJ）与磁场自由电流感应磁化开关（CIMS）架构。一对MTJ连接到具有CIMS架构的标准SRAM单元的存储节点，使得能够对非易失性逻辑信息进行完全电存储和恢复操作。宽范围的隧穿磁阻（TMR）比和Vhalf（当TMR比减小到其原始值的一半时的偏置电压）值对于所提出的NV-SRAM单元的操作是可接受的。当分别使用诸如100%和100 mV的适度TMR和Vhalf值时，可以容易地实现成功的操作。所提出的NV-SRAM有望成为下一代功率门控逻辑系统的关键部件，具有极低的静态功耗。
We propose and computationally analyze a nonvolatile static random access memory (NV-SRAM) cell using magnetic tunnel junctions (MTJs) with magnetic-field-free current-induced magnetization switching (CIMS) architecture. A pair of MTJs connected to the storage nodes of a standard SRAM cell with CIMS architecture enables fully electrical store and restore operations for nonvolatile logic information. A wide range of tunneling magnetoresistance (TMR) ratios and Vhalf (the bias voltage when the TMR ratio is reduced to half its original value) values are acceptable for the operation of the proposed NV-SRAM cell. Successful operation can be easily achieved when moderate TMR and Vhalf values such as 100% and 100 mV, respectively, are used. The proposed NV-SRAM is expected to be a key component of next-generation power-gating logic systems with extremely low static-power dissipation.
影响因子：
4
作者：
Sugahara, S;Tanaka, M
通讯作者：
Tanaka, M
场效应自旋晶体管的观点
DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
Physica Status Solidi C vol.3, no.12
影响因子：
--
作者：
S.Yada;M.Tanaka;S.Sugahara;S.Sugahara
通讯作者：
S.Sugahara
具有铁磁半导体通道的自旋金属氧化物半导体场效应晶体管（自旋 MOSFET）
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
J.Appl.Phys. 97
影响因子：
--
作者：
S.Sugahara;M.Tanaka
通讯作者：
M.Tanaka