Photo-induced optical activity in phase-change memory materials.
Photo-induced optical activity in phase-change memory materials.
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DOI：
10.1038/srep08770
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发表时间：
2015-03-05
影响因子：
4.6
通讯作者：
Kirkland AI
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Borisenko KB;Shanmugam J;Williams BA;Ewart P;Gholipour B;Hewak DW;Hussain R;Jávorfi T;Siligardi G;Kirkland AI
我们证明了利用圆偏振激光的快速光晶化可以在纯Ge2Sb2Te5和N掺杂Ge2Sb2Te5N相变存储材料的非晶态各向同性薄膜中诱导光学活性。圆二向色性测量证实了新的各向异性相变。这为在新一代高密度光存储器、快速手性开关和手性超材料中可控地诱导纳秒时间尺度的光学活动开辟了可能性。
We demonstrate that optical activity in amorphous isotropic thin films of pure Ge2Sb2Te5 and N-doped Ge2Sb2Te5N phase-change memory materials can be induced using rapid photo crystallisation with circularly polarised laser light. The new anisotropic phase transition has been confirmed by circular dichroism measurements. This opens up the possibility of controlled induction of optical activity at the nanosecond time scale for exploitation in a new generation of high-density optical memory, fast chiroptical switches and chiral metamaterials.
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