Structure and magnetoresistive properties of current-perpendicular-to-plane pseudo-spin valves using polycrystalline Co2Fe-based Heusler alloy films
Structure and magnetoresistive properties of current-perpendicular-to-plane pseudo-spin valves using polycrystalline Co2Fe-based Heusler alloy films
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使用多晶Co2Fe基Heusler合金薄膜的电流垂直于平面赝自旋阀的结构和磁阻性能
DOI：
10.1016/j.actamat.2013.03.001
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
9.4
通讯作者：
K. Hono
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T.M. Nakatani;Ye Du;Y.K. Takahashia;T. Furubayashi;K. Hono
本文报道了多晶Co_2Fe（Al_（0.5）Si_（0.5））（CFAS）和Co_2Fe（Ga_（0.5）Ge_（0.5））（CFGG）Heusler合金薄膜赝自旋阀（PSV）的电流垂直面巨磁电阻（CPP-GMR）。在Ta/Ru/Ag底层上生长了强[011]织构的多晶Heusler合金薄膜。采用厚度为5 nm的Heusler合金膜和Ag间隔层，经450°C退火的CFAS PSV和350°C退火的CFGG PSV，获得了较大的CPP-GMR值，ΔRA可达4 m Ωμ m2，ΔR/R可达10%.透射电子显微镜揭示了[011]织构CFAS层和[111]织构Ag间隔层之间的平坦且尖锐的界面。退火以上的最佳温度为每个PSV导致MR值的减少，作为一个结果的增厚的间隔层引起的Ag扩散从外部Ag层。
We report current-perpendicular-to-plane giant magnetoresistance (CPP–GMR) of pseudo-spin valves (PSVs) with polycrystalline Co2Fe(Al0.5Si0.5) (CFAS) and Co2Fe(Ga0.5Ge0.5) (CFGG) Heusler alloy films. Strongly [011] textured polycrystalline Heusler alloy films grew on the Ta/Ru/Ag underlayer. Relatively large CPP–GMR values of ΔRA up to 4mΩμm2and ΔR/R up to 10% were obtained with 5nm thick Heusler alloy films and Ag spacer layer by annealing CFAS PSV at 450°C and CFGG PSV at 350°C. Transmission electron microscopy revealed a flat and sharp interface between the [011] textured CFAS layers and the [111] textured Ag spacer layer. Annealing above an optimal temperature for each PSV led to reductions in MR values as a result of the thickening of the spacer layer induced by the Ag diffusion from the outer Ag layers.
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影响因子：
3.2
作者：
T. Nakatani;A. Rajanikanth;Z. Gercsi;Y. Takahashi;K. Inomata;K. Hono
通讯作者：
T. Nakatani;A. Rajanikanth;Z. Gercsi;Y. Takahashi;K. Inomata;K. Hono
DOI：
10.1016/0001-6160(73)90041-2
发表时间：
1973
期刊：
Acta Metallurgica
影响因子：
--
作者：
G. Olsen;H. C. Snyman
通讯作者：
H. C. Snyman
影响因子：
6
作者：
Yukiko K. Takahashi;K. Hono
通讯作者：
Yukiko K. Takahashi;K. Hono
影响因子：
4
作者：
Tezuka, N.;Ikeda, N.;Inomata, K.
通讯作者：
Inomata, K.
影响因子：
3.7
作者：
Miura, Y;Nagao, K;Shirai, M
通讯作者：
Shirai, M