Growth of graphene on copper and nickel foils via chemical vapour deposition using ethylene
Growth of graphene on copper and nickel foils via chemical vapour deposition using ethylene
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使用乙烯通过化学气相沉积在铜箔和镍箔上生长石墨烯
DOI：
10.1179/1432891714z.000000000771
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发表时间：
2014-07
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Xiong C.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Sagar R.R.;Zhang X.;Xiong C.
摘要以乙烯（C2H4）代替甲烷（CH4）作为前驱体，通过化学气相沉积（CVD）在铜箔和镍箔上生长石墨烯。拉曼光谱、X射线光电子能谱（XPS）和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）结果证实了乙烯可以用于石墨烯的生长。还观察了乙烯压力对石墨烯生长的影响。本研究的结果表明，石墨烯可以生长在铜箔和镍箔在相同的CVD生长条件下，如果使用乙烯作为前体。
Abstract Graphene was grown on copper and nickel foils via chemical vapour deposition (CVD), using ethylene (C2H4) as a precursor instead of methane (CH4). Raman spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and high resolution transmission electron microscopy (HRTEM) results confirmed that ethylene can be used in the growth of graphene. The effect of ethylene pressure on graphene growth was also observed. This study’s results show that graphene can be grown on copper and nickel foils under the same growth conditions of CVD if ethylene is used as a precursor.
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