Theoretical prediction electronic properties of Group-IV diamond nanothreads
Theoretical prediction electronic properties of Group-IV diamond nanothreads
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IV族金刚石纳米线电子性质的理论预测
DOI：
10.1063/1.5040374
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发表时间：
2018-07
期刊：
影响因子：
1.6
通讯作者：
Long Meng-Qiu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chen Min-Min;Xiao Jin;Cao Can;Zhang Dan;Cui Li-Ling;Xu Xue-Mei;Long Meng-Qiu
我们使用密度泛函理论研究了 IV 族金刚石纳米线（DNTs-C、DNTs-SiC、DNTs-Si 和 DNTs-Ge）上的原子和电子结构以及载流子迁移率。结果表明，所有 IV 族金刚石纳米线都是宽带隙半导体（>3eV）。最高的电子（空穴）迁移率值甚至高达~1.15×105（1.38×103）cm2V-1s-1。由于空穴和电子迁移率的巨大差异，DNTs-Si和DNTs-Ge可以被认为是p型半导体，而DNTs-C可以被认为是n型半导体。我们的研究结果表明，IV族金刚石纳米线是一种可应用于某些特殊条件下的光电子和纳米电子器件的新材料，如高温器件、宽禁带半导体、透明导体等。
We have investigated the atomic and electronic structures, and carrier mobility on Group-IV diamond nanothreads (DNTs-C, DNTs-SiC, DNTs-Si and DNTs-Ge) using density functional theory. It is shown that all of Group-IV diamond nanothreads are wide gap semiconductors (>3eV). The highest electron (hole) mobility value is even up to ∼1.15×105 (1.38×103) cm2V-1s-1. Due to the huge difference mobility in hole and electron, DNTs-Si and DNTs-Ge can be considered as p-type semiconductors, and DNTs-C can be considered as n-type semiconductor. Our results suggest that Group-IV diamond nanothreads is a new material that can be applied in optoelectronics and nanoelectronic devices in some special conditions, such as high-temperature devices, wide-gap semiconductors, transparent conductors and so on.
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DOI：
10.1039/c4cp05199h
发表时间：
2015-02
期刊：
Physical chemistry chemical physics : PCCP
影响因子：
--
作者：
Jin Xiao;Mengqiu Long;Mingjun Li;Xin-mei Li;Hui Xu;K. Chan
通讯作者：
Jin Xiao;Mengqiu Long;Mingjun Li;Xin-mei Li;Hui Xu;K. Chan
影响因子：
16.6
作者：
Zhan H;Zhang G;Tan VB;Gu Y
通讯作者：
Gu Y
影响因子：
4
作者：
Ishikawa, Y;Wada, K;Kimerling, LC
通讯作者：
Kimerling, LC
石墨炔片和纳米带中的电子结构和载流子迁移率：理论预测
影响因子：
17.1
作者：
Long, Mengqiu;Tang, Ling;Shuai, Zhigang
通讯作者：
Shuai, Zhigang
影响因子：
10.8
作者：
En-shi Xu;P. Lammert;V. Crespi
通讯作者：
En-shi Xu;P. Lammert;V. Crespi