On the Origin of Charge Compensation in Aluminum-Implanted n-Type 4H-SiC by Analysis of Hall Effect Measurements
On the Origin of Charge Compensation in Aluminum-Implanted n-Type 4H-SiC by Analysis of Hall Effect Measurements
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通过霍尔效应测量分析铝注入 n 型 4H-SiC 电荷补偿的起源
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.963.433
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T. Erlbacher
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Weisse;M. Hauck;T. Sledziewski;M. Krieger;A. Bauer;H. Mitlehner;L. Frey;T. Erlbacher
深取代掺杂剂的激发态对半导体中多数载流子浓度的影响
DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
作者：
Hideharu Matsuura
通讯作者：
Hideharu Matsuura
4H-SiC 中的低剂量 n 型氮注入
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
--
作者：
N. Saks;S. Ryu;A. Suvorov
通讯作者：
A. Suvorov
影响因子：
1.5
作者：
Fujihara, Hiroaki;Suda, Jun;Kimoto, Tsunenobu
通讯作者：
Kimoto, Tsunenobu