RF-MBE法によるHOPG基板上InN成長
RF-MBE法によるHOPG基板上InN成長
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通过 RF-MBE 方法在 HOPG 衬底上生长 InN
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
橋本明弘
中科院分区：
文献类型：
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作者：
小竹弘倫;田畑裕行;下辻康広;朴木博則;山本嵩勇;橋本明弘
影响因子：
3.2
作者：
Romanov, A. E.;Baker, T. J.;Speck, J. S.
通讯作者：
Speck, J. S.
半极性 GaN∕r 面蓝宝石中的正交表面相
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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作者：
K. Kusakabe;D. Terui;T. Yamazaki;I. Hashimoto;K. Ohkawa
通讯作者：
K. Ohkawa