Mass Transfer Limited KOH Etching in Crystalline Silicon using a Confinement Mask
Mass Transfer Limited KOH Etching in Crystalline Silicon using a Confinement Mask
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使用限制掩模对晶体硅进行传质限制 KOH 蚀刻
DOI：
10.1149/2162-8777/ab8063
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发表时间：
2020
影响因子：
2.2
通讯作者：
Schunk, P. Randall
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Tjiptowidjojo, Kristianto;Han, Seok Jun;Han, Sang Eon;Han, Sang M.;Schunk, P. Randall
我们演示了使用限制掩模来控制纳米晶硅中的刻蚀深度梯度。通过控制掩模的间隙来设置梯度。为了预测两种不同掩模的刻蚀深度分布，我们还开发了一个晶片尺度的模型，该模型考虑了腐蚀剂的传输、流动和表面反应。模型的结果表明，周期性地改变纳米和微米尺度之间的间隙是实现梯度的最好方法。通过实验论证和观测，对结果进行了定性验证。
We demonstrate the use of a confinement mask to control the etch depth gradient in nanopatterned crystalline silicon. The gradient is set by controlling the clearance gap of the mask. We also develop a wafer-scale model that accounts for etchant transport, flow, and surface reaction in order to predict etch depth profiles for two different masks. Results from the model reveal that the gradient is best achieved by varying the clearance between nanometer and micrometer scale in a periodic fashion. The results are qualitatively validated with experimental demonstration and observation.
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DOI：
--
发表时间：
1988
期刊：
影响因子：
--
作者：
R. Alkire;H. Deligianni
通讯作者：
H. Deligianni
影响因子：
2.4
作者：
Safaa Hassan;David Lowell;M. Adewole;D. George;Hualiang Zhang;Yuankun Lin
通讯作者：
Safaa Hassan;David Lowell;M. Adewole;D. George;Hualiang Zhang;Yuankun Lin
影响因子：
3.9
作者：
Kulkarni, MS;Erk, HF
通讯作者：
Erk, HF
硅太阳能电池：使用周期性纳米结构的 15.7% 效率 10 μm 厚晶体硅太阳能电池（Adv. Mater. 13/2015）
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Branham;W. Hsu;S. Yerci;J. Loomis;S. Boriskina;Brittany R. Hoard;S. Han;Gang Chen
通讯作者：
Gang Chen
DOI：
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发表时间：
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期刊：
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影响因子：
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作者：
V. Ferry;M. Verschuuren;Hongbo B T Li;E. Verhagen;R. Walters;R. Schropp;H. Atwater;A. Polman
通讯作者：
V. Ferry;M. Verschuuren;Hongbo B T Li;E. Verhagen;R. Walters;R. Schropp;H. Atwater;A. Polman