Room-temperature ferromagnetism and electrical properties of Cu2O/GaN heterostructures
Room-temperature ferromagnetism and electrical properties of Cu2O/GaN heterostructures
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Cu2O/GaN异质结构的室温铁磁性和电学性能
DOI：
10.1088/0022-3727/43/31/315101
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发表时间：
2010-08
影响因子：
3.4
通讯作者：
Liu, C.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Peng, T.;Wu, H.;Shen, K.;Hu, C.;Liu, C.
采用电子束蒸发法在GaN/蓝宝石衬底上沉积Cu薄膜，通过热氧化法制备了单相和外延Cu 2 O薄膜。当真空退火温度从400 °C变化到500 °C时，观察到导电类型的转变。电流-电压特性证实了这种转变，并表明成功地形成了p-Cu_2 O/n-GaN以及n-Cu_2 O/n-GaN异质结构。Cu_2O/GaN异质结构中出现了弱的室温铁磁性，这可能是由于Cu_2O薄膜中的缺陷引起的。
Single phase and epitaxial Cu2O thin films were synthesized by thermal oxidation of Cu films deposited on GaN/sapphire substrates using electron beam evaporation. A transition of the conduction type was observed when the vacuum annealing temperature was varied from 400 to 500 °C. Current–voltage characterization confirmed the transition and indicated the successful formation of p-Cu2O/n-GaN as well as n-Cu2O/n-GaN heterostructures. Weak room-temperature ferromagnetism appeared in the Cu2O/GaN heterostructures, which may have originated from the defects of the Cu2O films.
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