Applicability of Phosphorus and Boron Diffusion Parameters Extracted from Predeposition to Drive-in Diffusion for Bulk Si and Silicon-on-Insulator
Applicability of Phosphorus and Boron Diffusion Parameters Extracted from Predeposition to Drive-in Diffusion for Bulk Si and Silicon-on-Insulator
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从预沉积提取的磷和硼扩散参数对体硅和绝缘体上硅的驱入扩散的适用性
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M.Ichimura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
E.Arai;D.Iida;H.Asai;Y.Ieki;H.Uchida;M.Ichimura
影响因子：
1.5
作者：
H. Uchida;Y. Ieki;M. Ichimura;E. Arai
通讯作者：
E. Arai