Electronic structure of ordered Ga0.5In0.5P/GaAs heterointerface studied by Raman-scattering and photoluminescence-excitation measurements
Electronic structure of ordered Ga0.5In0.5P/GaAs heterointerface studied by Raman-scattering and photoluminescence-excitation measurements
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通过拉曼散射和光致发光激发测量研究有序 Ga0.5In0.5P/GaAs 异质界面的电子结构
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Schweizer
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Yamashita;K.Oe;T.Kita;O.Wada;Y.Wang;C.Geng;F.Scholz;H.Schweizer
DOI：
10.1103/physrevb.54.11492
发表时间：
1996
期刊：
Physical review. B, Condensed matter
影响因子：
--
作者：
García;Kuball;Cardona;Cantarero
通讯作者：
Cantarero
半导体异质结构中的亚皮秒相干载流子声子动力学。
DOI：
10.1103/physrevb.53.1531
发表时间：
1996
期刊：
Physical review. B, Condensed matter
影响因子：
--
作者：
T. Dekorsy;A. M. T. Kim;Gyu Cheon Cho;Heinrich Kurz;Alex V. Kuznetsov;A. Förster
通讯作者：
A. Förster
有序诱导二维电子气 Ga0.5In0.5P/GaAs 异质界面的磁光致发光研究
影响因子：
3.7
作者：
K. Yamashita;T. Kita;Y. Matsuura;O. Wada;C. Geng;F. Scholz;H. Schweizer;K. Oe
通讯作者：
K. Oe