Semiconductor Epitaxy in Superconducting Templates.
Semiconductor Epitaxy in Superconducting Templates.
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DOI：
10.1021/acs.nanolett.1c03133
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发表时间：
2021-12-08
期刊：
影响因子：
10.8
通讯作者：
Nichele F
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ritter MF;Schmid H;Sousa M;Staudinger P;Haxell DZ;Mueed MA;Madon B;Pushp A;Riel H;Nichele F
将高质量的半导体-超导体器件集成到可扩展的互补金属-氧化物-半导体兼容架构中仍然是一个突出的挑战，目前阻碍了它们的实际实施。在这里，我们展示了在含有超导TiN元素的侧腔内生长单片集成在Si上的InAs纳米线。该技术允许生长具有尖锐半导体-超导体界面和沿任意晶体学方向排列的混合器件。低温下的电学表征揭示了InAs通过透明界面产生的接近诱导超导性。
Integration of high-quality semiconductor–superconductor devices into scalable and complementary metal-oxide-semiconductor compatible architectures remains an outstanding challenge, currently hindering their practical implementation. Here, we demonstrate growth of InAs nanowires monolithically integrated on Si inside lateral cavities containing superconducting TiN elements. This technique allows growth of hybrid devices characterized by sharp semiconductor–superconductor interfaces and with alignment along arbitrary crystallographic directions. Electrical characterization at low temperature reveals proximity induced superconductivity in InAs via a transparent interface.
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