Inverse square-root field dependence of conductivity in organic field-effect transistors
Inverse square-root field dependence of conductivity in organic field-effect transistors
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有机场效应晶体管中电导率的反平方根场依赖性
DOI：
10.1063/1.3083549
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发表时间：
2008-06
影响因子：
4
通讯作者：
Wei, J. H.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Gao, Y. L.;Wang, X. R.;Wei, J. H.
变程跳变通常是有机半导体在低温下的主要电子传递机制。对于低温、高源漏偏置和高栅极电压条件下的有机场效应晶体管，认为多步隧穿（MUST）可以主导电荷输运。必须通过随机分布的局部状态的辅助而发生。电导率指数地依赖于电场平方根的倒数。这一结果很好地解释了最近的实验观察[A]。S. Dhoot等人，物理学。教化，96,246403（2006）。
Variable-range hopping is usually the main electron transport mechanism of an organic semiconductor at low temperature. For an organic field-effect transistor at low temperature and under both high source-drain bias and high gate voltage, it is argued that multistep tunneling (MUST) can dominate charge transport. The MUST occurs through the assistance of randomly distributed localized states. The conductivity depends exponentially on the inverse of the square-root of electric field. This result explains well the recent experimental observation [A. S. Dhoot et al., Phys. Rev. Lett. 96, 246403 (2006)].
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DOI：
10.1007/978-3-662-02403-4
发表时间：
1984-09
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
B. Shklovskii;A. Efros
通讯作者：
B. Shklovskii;A. Efros
影响因子：
3.7
作者：
N. Sai;Z. Q. Li;M. Martin;D. Basov;M. Ventra
通讯作者：
N. Sai;Z. Q. Li;M. Martin;D. Basov;M. Ventra
DOI：
10.1007/978-3-319-97604-4
发表时间：
2019
期刊：
Springer Proceedings in Physics
影响因子：
--
作者：
Ravi Sharma;D. S. Rawal
通讯作者：
Ravi Sharma;D. S. Rawal
影响因子：
64.8
作者：
Sirringhaus, H;Brown, PJ;de Leeuw, DM
通讯作者：
de Leeuw, DM
影响因子：
8.6
作者：
Ernesto Antonio Medina Dagger;Kardar;Shapir;Wang
通讯作者：
Ernesto Antonio Medina Dagger;Kardar;Shapir;Wang