Characterization of thickness, elemental distribution and band-gap properties in AlGaN/GaN quantum wells by aberration-corrected TEM/STEM
Characterization of thickness, elemental distribution and band-gap properties in AlGaN/GaN quantum wells by aberration-corrected TEM/STEM
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通过像差校正 TEM/STEM 表征 AlGaN/GaN 量子阱中的厚度、元素分布和带隙特性
DOI：
10.1088/1742-6596/371/1/012014
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Amari H
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Amari H
本文研究了金属有机化学气相沉积（MOCVD）在蓝宝石（0001）衬底上生长的AlGaN/GaN量子阱的厚度、化学成分和带隙特性。利用扫描透射电镜（TEM）、能量色散x射线能谱（EDXS）和电子能量损失能谱（EELS）等多种分析方法对这些层进行表征。环形暗场STEM提供比EDXS剖面更精确的层厚度和Al浓度。
This work presents an investigation of the thickness, the chemical composition and the band-gap properties of AlGaN/GaN quantum wells grown by Metal-Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) on sapphire (0001) substrates. Various methods of analysis by transmission electron microscopy (TEM) were used for the characterization of these layers, such as scanning transmission electron microscopy STEM, energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDXS) and electron energy loss spectroscopy (EELS). Annular dark-field STEM provides more accurate layer thicknesses and Al concentrations than EDXS profiling.
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