Nanoscale EELS analysis of elemental distribution and band-gap properties in AlGaN epitaxial layers
Nanoscale EELS analysis of elemental distribution and band-gap properties in AlGaN epitaxial layers
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AlGaN 外延层中元素分布和带隙特性的纳米级 EELS 分析
DOI：
10.1088/1742-6596/326/1/012039
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Amari H
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Amari H
氮化铝镓（AlGaN）是高功率和高温电子器件以及短波（可见和紫外）光电器件的有力候选材料。对于氮化层的带隙工程，能够对其光学特性进行精确的局部测量是至关重要的。本文采用核损失电子能谱（EELS）、等离子体能谱（plas激元能谱）和价态能谱（VEELS）研究了AlGaN的局部化学性质和带隙。
Aluminium gallium nitride (AlGaN) is a strong candidate for high-power and high-temperature electronic devices and short-wavelength (visible and ultraviolet) optoelectronic devices. For band-gap engineering of nitride layers, it is essential to be able to perform an accurate local measurement of their optical properties. In this work, core-loss electron energy loss spectroscopy (EELS), plasmon spectroscopy and valence EELS (VEELS) are compared for the investigation of the local chemistry and band-gap of AlGaN.
影响因子：
4
作者：
Gass, MH;Papworth, AJ;Chalker, PR
通讯作者：
Chalker, PR
用于 LED 应用的 (In)GaN 的 MBE 生长
DOI：
10.1557/proc-449-149
发表时间：
1996
期刊：
MRS Proceedings
影响因子：
--
作者：
H. Riechert;R. Averbeck;A. Graber;M. Schienle;U. Strauβ;H. Tews
通讯作者：
H. Tews
Energieeverlustmessungen 和 III-V-Verbindungen
DOI：
10.1007/bf01394892
发表时间：
1969
期刊：
Zeitschrift für Physik A Hadrons and nuclei
影响因子：
--
作者：
C. Festenberg
通讯作者：
C. Festenberg