Thermal buckling analysis in InSb focal plane arrays detector
Thermal buckling analysis in InSb focal plane arrays detector
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InSb 焦平面阵列探测器的热屈曲分析
DOI：
10.1007/s12206-013-0502-3
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发表时间：
2013-07
影响因子：
1.6
通讯作者：
Lv, Yanqiu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang, Xiaoling;Meng, Qingduan;Yu, Qian;Zhang, Liwen;Lv, Yanqiu
在探索锑化铟（InSb）探测器的屈曲机理时，有限元模拟结果重现了全局方形棋盘状的屈曲模式。系统地分析了三种层状材料对z向变形的贡献。分析结果表明，屈曲变形是由硅读出集成电路（硅- roic）与正上方中间层之间的热差引起的。此外，屈曲模式由铟凸点阵列决定。通过10 μm中间层后，变形幅度由2.23 μm显著减小至0.24 μm。然后，向上穿过10 μm InSb芯片，最大变形进一步减小到0.09 μm。
When exploring the buckling mechanism in indium antimonide (InSb) detector, the global square checkerboard buckling pattern reappears in finite element simulation results. The contributions from the three layered materials to the deformations along the Z-direction are systematically analyzed. Analysis of results shows that the buckling deformation originated from the thermal difference between silicon readout integrated circuits (silicon-ROIC) and the intermediate layer directly above. Furthermore, the buckling pattern is determined by indium bumps array. After passing through the 10 μm intermediate layer, the deformation amplitude is significantly reduced from 2.23 μm to 0.24 μm. Afterwards, passing upward through the 10 μm InSb chip, the maximal deformation is further decreased to 0.09 μm.
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