Solution growth of DPB-free 3C-SiC
Solution growth of DPB-free 3C-SiC
复制标题
无 DPB 的 3C-SiC 溶液生长
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Ujihara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Seki;S. Harada;T. Ujihara
影响因子：
2.1
作者：
A. Severino;C. Bongiorno;N. Piluso;M. Italia;M. Camarda;M. Mauceri;G. Condorelli;M. A. D. Stefano;B. Cafra;A. Magna;F. Via
通讯作者：
A. Severino;C. Bongiorno;N. Piluso;M. Italia;M. Camarda;M. Mauceri;G. Condorelli;M. A. D. Stefano;B. Cafra;A. Magna;F. Via
1200°C 高质量异质外延 3C-SiC 薄膜生长参数优化
DOI：
10.1016/j.tsf.2015.01.049
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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作者：
M. Wilhelm;M. Rieth;Marco Brandl;R. A. Wibowo;R. Hock;P. Wellmann
通讯作者：
P. Wellmann