Determination of charge injection barrier using the displacement current measurement technique

Determination of charge injection barrier using the displacement current measurement technique
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使用位移电流测量技术确定电荷注入势垒

DOI:
10.1016/j.orgel.2016.04.029
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发表时间:
2016
期刊:
Org. Electronics
影响因子:
--
通讯作者:
S. Sato
S. Sato
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
H. Tajima;F. Miyao;M. Mizukoshi;S. Sato

文献摘要

参考文献

被引文献

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报道了一种使用位移电流测量(DCM)来确定注入势垒的新技术。该技术应用于无金属酞菁 (H2Pc)/Ag 和 H2Pc/MoO3/Ag 的连接处。评估了从 Ag 到 H2Pc 最高占据分子轨道和 H2Pc 最低未占据分子轨道的注入势垒,发现分别为 0.4 V 和 1.8 V。从 MoO3/Ag 电极到 H2Pc 的空穴注入没有形成势垒。这些结果与基于 H2Pc、Ag 和 MoO3 的电离能以及 H2Pc 的电子亲和势构建的能量图相对一致。
A new technique to determine the injection barrier using displacement current measurement (DCM) is reported. This technique was applied to junctions of metal-free phthalocyanine (H2Pc)/Ag and H2Pc/MoO3/Ag. The injection barriers from Ag to the highest occupied molecular orbital of H2Pc and to the lowest unoccupied molecular orbital of H2Pc were evaluated and found to be 0.4 V and 1.8 V, respectively. No barrier was formed for the hole injection from the MoO3/Ag electrode into H2Pc. These results are relatively consistent with an energy diagram built on the basis of the ionization energy for H2Pc, Ag, and MoO3, in addition to the electron affinity for H2Pc.
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