InP Hot Electron Transistors with Emitter Mesa Fabricated between Gate Electrodes for Reduction in Emitter-Gate Gate-Leakage Current
InP Hot Electron Transistors with Emitter Mesa Fabricated between Gate Electrodes for Reduction in Emitter-Gate Gate-Leakage Current
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InP 热电子晶体管，在栅电极之间制作发射极台面，以减少发射极-栅极漏电流
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Takeuchi et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Hashiba;Y.Takaki;K.Takeuchi et al.
用埋钨丝降低亚微米 InP/GaInAs 异质结双极晶体管的基极-集电极电容
影响因子：
1.5
作者：
T. Arai;S. Yamagami;Y. Miyamoto;K. Furuya
通讯作者：
K. Furuya