Broadband antireflection of silicon nanorod arrays prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition
Broadband antireflection of silicon nanorod arrays prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition
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等离子体增强化学气相沉积硅纳米棒阵列的宽带减反射
DOI：
10.1016/j.apsusc.2011.08.129
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发表时间：
2011-11
影响因子：
6.7
通讯作者：
He, Deyan
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang, Desheng;Yang, Zhibo;Li, Fei;Liu, Dequan;Wang, Peng;He, Deyan
采用甚高频等离子体增强气相沉积技术在镍纳米锥基底上制备了氢化纳米Si（nc-Si：H）纳米棒阵列。研究了所制备的硅纳米棒阵列在太阳能电池中的应用。研究发现，纳米硅：氢纳米棒阵列的结构可以被调节，以获得非常低的反射率，特别是在近红外区域。所获得的Si纳米结构具有良好分离的纳米棒，每个纳米棒的平均直径为200 nm，高度为700 nm，在400- 1100 nm的宽波长范围内，在垂直入射下显示出<5%的反射率值。
Hydrogenated nanocrystalline Si (nc-Si:H) nanorod arrays were cost-effectively prepared on electrodeposited nickel nanocones substrates by very high frequency plasma enhanced vapor deposition. The antireflection properties of the obtained Si nanorod arrays were investigated carefully for the possible application in solar cells. It was found that the structures of nc-Si:H nanorod arrays can be tuned to obtain a very low reflectance especially in the near infrared region. The obtained Si nanostructure with well-separated nanorods, each of which had an average diameter of 200nm and height of 700nm, showed a reflectance value of <5% at normal incident over a wide wavelength of 400–1100nm.
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