Effects of DC Sputtering Conditions on Formation of Ge Layers on Si Substrates by Sputter Epitaxy method
Effects of DC Sputtering Conditions on Formation of Ge Layers on Si Substrates by Sputter Epitaxy method
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直流溅射条件对溅射外延法在硅基片上形成Ge层的影响
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Yoshiyuki Suda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takahiro Tsukamoto;Nobumitsu Hirose;Akifumi Kasamatsu;Takashi Mimura;Toshiaki Matsui;and Yoshiyuki Suda
Si1-xGex溅射外延技术及其在RTD中的应用
影响因子：
2.1
作者：
J. Kubota;A. Hashimoto;Y. Suda
通讯作者：
Y. Suda