Electronic structure of hydrogen-terminated silicon surfaces [H-Si(111)] studied by two-photonphotoemission
Electronic structure of hydrogen-terminated silicon surfaces [H-Si(111)] studied by two-photonphotoemission
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双光子光电发射研究氢封端硅表面的电子结构[H-Si(111)]
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A.Nakajima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Nakamura;K.Miyajima;N.Hirata;T.Matsumoto;H.Tada;Y.Morikawa;A.Nakajima
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甲基和丁基封端的 Si(111) 在水溶液中的电化学行为
影响因子：
1.6
作者：
Daisuke Niwa;Tomoyuki Inoue;H. Fukunaga;Toru Akasaka;Taro Yamada;T. Homma;T. Osaka
通讯作者：
T. Osaka
Taro Yamada、Nao Takano、Tomoyuki Inoue、Tetsuya Osaka、Hiroshi Harada、Katsuhiko Nishiyama、Isao Taniguchi：“通过 CH_3MgBr 和 H : Si (111) 的化学反应制备的固定 CH_3 基团的 C-Si 单共价键”表面科学。
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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作者：
通讯作者：
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Si (111) 表面的理想甲基终止
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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作者：
Taro Yamada;Maki Kawai;Andrzej Wawro;Shozo Suto;and Atsuo Kasuya
通讯作者：
and Atsuo Kasuya
用于硅表面功能化的钯催化偶联反应：烯基单层的优异稳定性。
影响因子：
3.9
作者：
G. Collins;C. O’Dwyer;Michael Morris;J. Holmes
通讯作者：
J. Holmes
影响因子：
6.4
作者：
P. Thissen;O. Seitz;Y. Chabal
通讯作者：
P. Thissen;O. Seitz;Y. Chabal